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BLA6G1011L-200RG, 1 microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo

Name: BLA6G1011L-200RG, 1 microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo
Brand: BLA6G1011L-200RG, 1 microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo
SKU: BLA6G1011L-200RG, 1 microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (106 reviews)

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BLA6G1011L-200RG, 1 microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo

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Detalhes do produto:

Lugar de origem:	Original

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Quantidade de ordem mínima:	Negociável
Preço:	Negotiable
Tempo de entrega:	Negociável
Termos de pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte:	100000

Contato

BLA6G1011L-200RG, 1 microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo

descrição

Número da peça:	BLA6G1011L-200RG, 1	Fabricante:	Ampleon EUA Inc.
Descrição:	FET LDMOS 65V 20DB SOT502D do RF	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - RF
Família:	Transistor - FETs, MOSFETs - RF

BLA6G1011L-200RG, especificações 1

Estado da parte	Ativo
Tipo do transistor	LDMOS
Frequência	1.03GHz ~ 1.09GHz
Ganho	20dB
Tensão - teste	28V
Avaliação atual	49A
Figura de ruído	-
Atual - teste	100mA
Saídas de potência	200W
Tensão - avaliado	65V
Pacote/caso	SOT-502D
Pacote do dispositivo do fornecedor	LDMOST
Expedição	UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância	Fábrica original nova.

BLA6G1011L-200RG, 1 que empacota

Detecção

BLA6G1011L-200RG, 1 microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo 0

etiqueta:

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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