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BLF6G10LS-200RN, microplaqueta do RF de 11 MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo

Name: BLF6G10LS-200RN, microplaqueta do RF de 11 MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo
Brand: BLF6G10LS-200RN, microplaqueta do RF de 11 MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo
SKU: BLF6G10LS-200RN, microplaqueta do RF de 11 MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (122 reviews)

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BLF6G10LS-200RN, microplaqueta do RF de 11 MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo

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Detalhes do produto:

Lugar de origem:	Original

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	Negociável
Preço:	Negotiable
Tempo de entrega:	Negociável
Termos de pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte:	100000

Contato

BLF6G10LS-200RN, microplaqueta do RF de 11 MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo

descrição

Número da peça:	BLF6G10LS-200RN, 11	Fabricante:	Ampleon EUA Inc.
Descrição:	FET LDMOS 65V 20DB SOT502B do RF	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - RF
Família:	Transistor - FETs, MOSFETs - RF

BLF6G10LS-200RN, 11 especificações

Estado da parte	Ativo
Tipo do transistor	LDMOS
Frequência	871.5MHz ~ 891.5MHz
Ganho	20dB
Tensão - teste	28V
Avaliação atual	49A
Figura de ruído	-
Atual - teste	1.4A
Saídas de potência	40W
Tensão - avaliado	65V
Pacote/caso	SOT-502B
Pacote do dispositivo do fornecedor	SOT502B
Expedição	UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância	Fábrica original nova.

BLF6G10LS-200RN, 11 que empacota

Detecção

BLF6G10LS-200RN, microplaqueta do RF de 11 MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo 0

etiqueta:

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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