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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de BLC8G27LS-210PVY

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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de BLC8G27LS-210PVY

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de BLC8G27LS-210PVY
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Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
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Habilidade da fonte: 100000

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de BLC8G27LS-210PVY

descrição
Número da peça: BLC8G27LS-210PVY Fabricante: Ampleon EUA Inc.
Descrição: FET LDMOS 65V 17DB SOT12513 do RF Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - RF
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - RF

Especificações de BLC8G27LS-210PVY

Estado da parte Ativo
Tipo do transistor LDMOS (duplo), fonte comum
Frequência 2.6GHz ~ 2.7GHz
Ganho 17dB
Tensão - teste 28V
Avaliação atual -
Figura de ruído -
Atual - teste 1.73A
Saídas de potência 65W
Tensão - avaliado 65V
Pacote/caso SOT-1251-3
Pacote do dispositivo do fornecedor 8-DFM
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento de BLC8G27LS-210PVY

Detecção

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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