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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo A2T23H300-24SR6

Name: Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo A2T23H300-24SR6
Brand: Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo A2T23H300-24SR6
SKU: Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo A2T23H300-24SR6
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (165 reviews)

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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo A2T23H300-24SR6

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Quantidade de ordem mínima:	Negociável
Preço:	Negotiable
Tempo de entrega:	Negociável
Termos de pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte:	100000

Contato

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo A2T23H300-24SR6

descrição

Número da peça:	A2T23H300-24SR6	Fabricante:	NXP EUA Inc.
Descrição:	TRANSPORTE RF LDMOS DE IC	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - RF
Família:	Transistor - FETs, MOSFETs - RF

Especificações A2T23H300-24SR6

Estado da parte	Ativo
Tipo do transistor	LDMOS (duplo)
Frequência	2.3GHz
Ganho	14.9dB
Tensão - teste	28V
Avaliação atual	-
Figura de ruído	-
Atual - teste	750mA
Saídas de potência	66W
Tensão - avaliado	65V
Pacote/caso	NI-1230-4LS2L
Pacote do dispositivo do fornecedor	NI-1230-4LS2L
Expedição	UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância	Fábrica original nova.

Empacotamento A2T23H300-24SR6

Detecção

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo A2T23H300-24SR6 0

etiqueta:

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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