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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de BLF8G10LS-300PJ

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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de BLF8G10LS-300PJ

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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de BLF8G10LS-300PJ

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Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de BLF8G10LS-300PJ

descrição
Número da peça: BLF8G10LS-300PJ Fabricante: Ampleon EUA Inc.
Descrição: FET LDMOS 65V 20.5DB SOT539B do RF Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - RF
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - RF

Especificações de BLF8G10LS-300PJ

Estado da parte Ativo
Tipo do transistor LDMOS (duplo), fonte comum
Frequência 760.5MHz ~ 800.5MHz
Ganho 20.5dB
Tensão - teste 28V
Avaliação atual -
Figura de ruído -
Atual - teste 2A
Saídas de potência 65W
Tensão - avaliado 65V
Pacote/caso SOT539B
Pacote do dispositivo do fornecedor SOT539B
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento de BLF8G10LS-300PJ

Detecção

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de BLF8G10LS-300PJ 0Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de BLF8G10LS-300PJ 1Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de BLF8G10LS-300PJ 2Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de BLF8G10LS-300PJ 3

Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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