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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo BF1107,215

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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo BF1107,215

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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo BF1107,215

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Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo BF1107,215

descrição
Número da peça: BF1107,215 Fabricante: NXP EUA Inc.
Descrição: MOSFET N-CH 3V 10MA SOT23 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - RF
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - RF

Especificações BF1107,215

Estado da parte Ativo
Tipo do transistor N-canal
Frequência -
Ganho -
Tensão - teste -
Avaliação atual 10mA
Figura de ruído -
Atual - teste -
Saídas de potência -
Tensão - avaliado 3V
Pacote/caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacote do dispositivo do fornecedor TO-236AB (SOT23)
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento BF1107,215

Detecção

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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