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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF1K50GNR5

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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF1K50GNR5

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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF1K50GNR5

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Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF1K50GNR5

descrição
Número da peça: MRF1K50GNR5 Fabricante: NXP EUA Inc.
Descrição: PODER WIDEBAND LDMOS TRANSIST DO RF Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - RF
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - RF

Especificações MRF1K50GNR5

Estado da parte Ativo
Tipo do transistor LDMOS
Frequência 1.8MHz ~ 500MHz
Ganho 23dB
Tensão - teste 50V
Avaliação atual -
Figura de ruído -
Atual - teste -
Saídas de potência 1500W
Tensão - avaliado 50V
Pacote/caso OM-1230G-4L
Pacote do dispositivo do fornecedor OM-1230G-4L
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento MRF1K50GNR5

Detecção

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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