Enviar mensagem
Para casa > produtos > Transistor de efeito de campo > TK35A65W5, MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de S5X únicos

TK35A65W5, MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de S5X únicos

Categoria:
Transistor de efeito de campo
Preço:
Negotiable
Método do pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificações
Número da peça:
TK35A65W5, S5X
Fabricante:
Semicondutor e armazenamento de Toshiba
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 35A TO220SIS
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Família:
Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Série:
DTMOSIV
Introdução

TK35A65W5, especificações de S5X

Estado da parte Ativo
Tipo do FET N-canal
Tecnologia MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) 650V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 35A (Ta)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 4.5V @ 2.1mA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 115nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 4100pF @ 300V
Vgs (máximo) ±30V
Característica do FET -
Dissipação de poder (máxima) 50W (Tc)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 95 mOhm @ 17.5A, 10V
Temperatura de funcionamento 150°C (TJ)
Montando o tipo Através do furo
Pacote do dispositivo do fornecedor TO-220SIS
Pacote/caso TO-220-3 bloco completo, aba isolada
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

TK35A65W5, empacotamento de S5X

Detecção

TK35A65W5, MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de S5X únicosTK35A65W5, MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de S5X únicosTK35A65W5, MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de S5X únicosTK35A65W5, MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de S5X únicos

Envie o RFQ
Resíduos:
MOQ:
Negotiable