MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de STW28NM60ND únicos
Especificações
Número da peça:
STW28NM60ND
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 23A TO-247
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Família:
Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Série:
FDmesh™ II
Introdução
Especificações de STW28NM60ND
Estado da parte | Ativo |
---|---|
Tipo do FET | N-canal |
Tecnologia | MOSFET (óxido de metal) |
Drene à tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C | 23A (Tc) |
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ | 5V @ 250µA |
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 62.5nC @ 10V |
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 2090pF @ 100V |
Vgs (máximo) | ±25V |
Característica do FET | - |
Dissipação de poder (máxima) | 190W (Tc) |
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs | 150 mOhm @ 11.5A, 10V |
Temperatura de funcionamento | 150°C (TJ) |
Montando o tipo | Através do furo |
Pacote do dispositivo do fornecedor | TO-247 |
Pacote/caso | TO-247-3 |
Expedição | UPS/EMS/DHL/FedEx expresso. |
Circunstância | Fábrica original nova. |
Empacotamento de STW28NM60ND
Detecção
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Resíduos:
MOQ:
Negotiable