DISPOSIÇÃO ULTRA BAIXA do DIODO das tevês da CAPACIDADE dos transistor e dos tiristores dos diodos de AOZ8902CIL
Transistor e tiristores dos diodos
,Baixa disposição do diodo das tevês da capacidade
,AOZ8902CIL
Disposição do diodo das tevês da capacidade dos tiristores dos diodos do transistor de efeito de campo de AOZ8902CIL Ultra-baixa
- O AOZ8902CIL usa tecnologia avançada da trincheira para fornecer o RDS excelente (SOBRE) e a baixa carga da porta. Os MOSFETs complementares podem ser usados no inversor e nas outras aplicações. Alpha Omega Semiconductor Inc
Número da peça interna | AOZ8902CIL | |
Estado sem chumbo/estado de RoHS | Sem chumbo/RoHS complacente | |
Nível da sensibilidade de umidade (MSL) | 1 (ilimitado) | |
Estado da produção (ciclo de vida) | Na produção | |
Circunstância | Novo & não utilizado, original selado | |
Outros documentos relacionados | Política do verde do AOS | |
Pacote padrão | 3.000 | |
Categoria | Produtos de semicondutor discretos | |
Família | FETs - disposições | |
Série | - | |
Empacotamento | Fita & carretel (TR) | |
Tipo do FET | N e P-canal, dreno comum | |
Característica do FET | Porta do nível da lógica | |
Drene à tensão da fonte (Vdss) | 30V | |
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C | 5A, 6A | |
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs | 50 mOhm @ 5A, 10V | |
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ | 2.5V @ 250µA | |
Carga da porta (Qg) @ Vgs | 10nC @ 10V | |
Capacidade entrada (Ciss) @ Vds | 170pF @ 15V | |
Poder - máximo | 2.1W, 2.5W | |
Montando o tipo | Montagem de superfície | |
Pacote/caso | 8-SMD, ligação lisa | |
Pacote do dispositivo do fornecedor | 8-DFN (2.9x2.3) | |
Peso | 0,001 QUILOGRAMAS | |
Aplicação | E-mail para detalhes | |
Parte alternativa (substituição) | AOZ8902CIL | |
Relações relacionadas | Distribuidor de AOZ8902CIL Folha de dados, Alfa & Ômega Semicondutor Inc. |
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